击穿机理相关论文
自愈性能是金属化膜电容器工作场强得以提高的重要原因，其主要包括介质膜击穿及金属层退化两个过程。影响电容器自愈能量的因素包括......
IGBT是将微电子技术和电力电子技术结合起来的新一代功率半导体器件，是当前半导体分立器件的高端产品，应用范围广，市场需求大，发展前景......
忆阻器和能量存储电容器具有相同的三明治结构,然而两个器件需要的操作电压有明显差异,因此在同一个器件中,研究操作电压的影响因......
普冷温区环境下气体绝缘机理依然不够明朗.本文在温度–153-25 ℃,气压 50-2000 Pa的范围内对 CF4、N2、20%CF4/N2 以及 50%CF4/N2......
在总结分析了电触头在气体和真空介质中的击穿机理及过程的基础上。较系统地论述了电极面积、触头球面半径、触头间隙、真空度、电......
根据碰撞电离退陷阱理论指出了提高脉冲电容器绝缘介质工作场强的方向,并介绍了电容器多层绝缘结构、复合膜及绝缘材料的等离子体......
对等离子体增强化学汽相淀积(PECVD)法制成纳米级SiOxNy薄膜组成的MIS结构样品,通过美国HP系列设备测试I-V特性、准静态及高频C-V......
在参阅大量文献的基础上,给出当前液体介质击穿理论的最新进展及成果:电子理论、气泡理论、小桥理论,并且比较分析不同理论的优缺......
为了解决薄层SOI(silicon-on-insulator)场LDMOS(laterally diffused metal oxide semiconductor)击穿电压偏低,容易发生背栅穿通......
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期刊
光电导开关(Photoconductive Semiconductor Switches简称PCSS’s)具有耐压强度高、通流能力强、寄生电感电容小、开关速度快和皮......
测试半导体GaN功率开关器件灵敏度对掌握器件性能具有重要意义,提出一种新型半导体GaN功率开关器件灵敏度测试技术。通过分析半导......
半绝缘GaAs光电导开关是利用脉冲激光器与半绝缘GaAs相结合组成的一类新型超快光电器件。与传统开关相比,半导体光电导开关具有触......
矿用高压电气设备的绝缘部分在实际运行过程中,往往同时经受电、热、机械和环境等因子的联合作用。这些因子将引起绝缘老化,最终导......
研究了在不同触发条件下半绝缘GaAs光电导开关的击穿特性 .当触发光能量和偏置电场不同时 ,半绝缘GaAs光电导开关的击穿损坏程度也......
总结了目前国内外高性能真空触发开关技术的进展及发展趋势；分析了真空触发开关在击穿机理方面的研究情况；比较了目前真空触发开关在......
为了满足开关设备智能化发展需求,提高开关设备运行可靠性。本文研究了高压真空断路器的击穿机理,提出在断路器动作过程中采用电机......
氮化镓基电力电子器件在电力电子领域具有很大的应用潜力,其击穿电压的相关研究至关重要。目前GaN基电力电子器件的击穿电压距离其......
为解决换流变压器阀侧主绝缘所面临的击穿问题,探讨了极性反转电压下油纸复合绝缘的击穿机理。利用平板电极模型,在极性反转、台阶......
微弧氧化技术又称为微等离子体氧化技术或阳极火花沉积技术,这是一种在阀金属及其合金表面通过微等离子体放电,进行复杂的电化学、......
对不同层数的聚丙烯层压纸(PPLP)在液氮中的工频击穿特性进行研究,总结了击穿场强随PPLP层数的变化规律,得出多层PPLP的击穿场强随......
特高压输电具备超远距离、超大容量、低损耗的送电能力,能够提高资源的开发和利用效率,缓解环保压力,节约宝贵的土地资源,具有显著......
SOI(Silicon on insulator)技术相比体硅材料具有高速、高集成度、低泄漏电流和隔离性好等优点而越来越广泛的用于功率集成电路中......
近年来输电线路附近发生的山火对输电线路的可靠运行造成了严重威胁．分析和总结国内外山火对输电线路设备和外绝缘影响的研究进展，探......
本文研究了R形转折特性的转折电压U_T和10mA时的击穿电压U_(10)与环境温度T_a的关系、击穿区的V—I特性、表面空间电荷区光电流与......
极不均匀场中ＳＦ６的低概率冲击击穿是先导击穿。根据当前的研究结果，对击穿的发展过程和机理进行了论述，对击穿过程的计算机模拟是它的一......
